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對(duì)标IBM、英特爾！國(guó)産量子芯片生産線即將(jiāng)落地
- 分類：行業新聞
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- 發(fā)布時(shí)間：2021-07-16 15:04
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對(duì)标IBM、英特爾！國(guó)産量子芯片生産線即將(jiāng)落地
“随著(zhe)半導體行業‘缺芯’問題愈演愈烈，我國(guó)作爲全球大芯片進(jìn)口國(guó)，某些高端芯片受制于國(guó)外廠商。但在未來的量子計算時(shí)代，這(zhè)種(zhǒng)情況將(jiāng)會(huì)大爲改觀。”本源量子總經(jīng)理張輝博士告訴科技日報記者。
從設計到封裝全鏈條開(kāi)發(fā)
“目前，國(guó)内量子芯片的生産仍以實驗室加工爲主。但要研制性能(néng)更加優越的量子芯片，必然需要成(chéng)熟的制造工藝與産線化的生産加工模式。”張輝告訴記者，爲推動國(guó)内量子計算産業化發(fā)展，讓量子計算技術從科研成(chéng)果向(xiàng)現實應用轉化，本源量子與晶合集成(chéng)宣布攜手共建“本源-晶合量子芯片聯合實驗室”，目的就(jiù)是讓量子計算機核心部件——國(guó)産量子芯片産線早日落地。
據介紹，實驗室將(jiāng)實現從芯片設計到封裝測試全鏈條開(kāi)發(fā)，攻關量子芯片設計，半導體和超導量子芯片的設計研發(fā)、試制，量子芯片制造和封裝測試，QGPU、FPGA、ASIC等高端專用芯片的産線化中試。
張輝表示，“本源-晶合量子芯片聯合實驗室”在超導的技術路線上，將(jiāng)對(duì)标IBM、谷歌等巨頭，在半導體技術線上則對(duì)标英特爾的22nm FinFET、CEA-Leti 28nm FDSOI，從而打造國(guó)内家面(miàn)向(xiàng)産業化和應用的量子芯片實驗室，努力建成(chéng)先進(jìn)的量子芯片專用的微電子研究。
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2021-07-16
在線路闆行業中，開(kāi)始爲了滿足更多客戶對(duì)PCB線路闆打樣的要求，工廠開(kāi)放了專線，雙面(miàn)闆可以做24小時(shí)加急，四層線路闆可以做48小時(shí)加急，随著(zhe)現在電子行業迅速的發(fā)展，這(zhè)樣的速度已經(jīng)滿足不了市場的需求，所以我們公司專門爲了客戶考慮。
在保證質量的情況下，雙面(miàn)闆快可以12小時(shí)完成(chéng)，4層線路闆快可以48小時(shí)完成(chéng)。
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2021-07-16
惠普(HP)的列印技術專家James Stasiak表示：“我們將(jiāng)3D列印技術視爲實現一個包含上兆感測器的之推手；”他在一場專題演說(shuō)中表示，傳統電子元件與奈米材料3D列印在新型基闆上的結合，將(jiāng)可因應未來物聯網對(duì)低價感測器的需求，而已經(jīng)有廠商如美國(guó)業者Kateeva可提供适合房間尺寸大小的YieldJet噴墨印表機，能(néng)制作出OLED元件并能(néng)進(jìn)行DNA印刷與其他生物性材料的研究。
在該研讨會(huì)現場，來自以色列的新創公司Nano Dimension的DragonFly 2020 3D印表機首度在美國(guó)亮相，該設備能(néng)制作出20公分(cm)見方、高度約3公厘(mm)、線迹寬度僅80微米(micron)的多層電路闆，依層數不同，所需時(shí)間僅3~20小時(shí)。
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基于制造母術的立場，高密度電路的可能(néng)制造範圍。根據電路節距和導通孔孔徑，高密度電路大緻分爲三種(zhǒng)類型：(1)傳統的FPC；(2)高密度FPC；(3)超高密度FPC。
在傳統的減成(chéng)法中，節距150um和導通孔孔徑15 um的FPC已經(jīng)量産化。由于材料或者加工裝置的改善，即使在減成(chéng)法中也可以加工30um的線路節距。此外，由于CO2激光或者化學(xué)蝕刻法等工藝的導入，可以實現50um孔徑的導通孔量産加工，現在量産的大部分高密度FPC都(dōu)是采用這(zhè)些技術加工的。
然而如果節距25um以下和導通孔孔徑50um以下，即使改良傳統技術，也難以提高合格率，必須導入新的工藝或者新的材料。現在提出的工藝有各種(zhǒng)加工法，但是使用電鑄(濺射)技術的半加成(chéng)法是适用的方法，不僅基本工藝有所不同，而且使用的材料和輔助材料也有所差異。
另一方面(miàn)，FPC接合技術的進(jìn)步要求FPC具有更高的可靠性能(néng)。随著(zhe)電路的高密度化，FPC的性能(néng)提出了多樣化和高性能(néng)化的要求，這(zhè)些性能(néng)要求在很大程度上依存于電路加工技術或使用的材料。
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